LMG2610RRGT 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于ACF的650V 170/248mΩ GaN半橋
產(chǎn)品型號(hào)：LMG2610RRGT
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：VQFN40
產(chǎn)品功能：氮化鎵 (GAN) IC
LMG2610RRGT特性
●650伏GaN功率-FET半橋
●170-mQ低側(cè)和248-m2高側(cè)GaN場效應(yīng)晶體管
●具有低傳播延遲和可調(diào)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速率控制的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
●具有高帶寬和高精度的電流感測仿真
●低側(cè)/高側(cè)門驅(qū)動(dòng)聯(lián)鎖
●高端柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平移位器
●智能開關(guān)自舉二極管功能
●高端啟動(dòng)8誠
●低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
●帶FLT引腳報(bào)告的過溫保護(hù)
●AUX空閑靜態(tài)電流:240 pA
●備用靜態(tài)電流:50uA
●BST空閑靜態(tài)電流:60 yA
●最大電源和輸入邏輯引腳電壓:26V
●9x7 mm QFN封裝，帶雙散熱墊
LMG2610RRGT說明
該LMG2610是一個(gè)650-V的GaN功率FET半橋<75瓦的有源鉗位反激(ACF)轉(zhuǎn)換器在開關(guān)模式電源應(yīng)用的目的。該LMG2610簡化了設(shè)計(jì)，減少元件數(shù)量，并減少電路板空間，通過集成半橋接功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高端柵極驅(qū)動(dòng)電平移位器，采用9 mmX7mm QFN封裝。不對(duì)稱GaN FET的電阻ACF的工作條件進(jìn)行了優(yōu)化?？删幊剔D(zhuǎn)動(dòng)在轉(zhuǎn)換率上提供EML和振鈴控制，與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比，低端電流檢測仿真降低了功耗，并允許低端熱墊連接到冷卻PCB電源地。高邊柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平移位器消除了外部解決方案的噪聲和突發(fā)模式功耗問題。智能開關(guān)的GaN自舉FET沒有二極管正向壓降，避免了高側(cè)電源的過充電，并且具有零反向恢復(fù)電荷。該LMG2610支持低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間轉(zhuǎn)換器輕載效率要求和突發(fā)模式操作。保護(hù)功能包括場效應(yīng)管開啟互鎖，欠壓鎖定(UVLO)，逐周期電流限制和過溫關(guān)斷。
封裝圖
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